Моя заявка (0)
BSR19A,215 NPN Transistor

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014510874
Артикул
BSR19A,215
Бренд
Nexperia B.V.
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
3 mm
Package Type
SOT-23
Цена по запросу
(от 36,72 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор биполярный BSR19A,215 от производителя NEXPERIA - это высококачественный компонент для монтажа на печатные платы типа SMD. Этот NPN транзистор характеризуется током коллектора до 0,3 А и способен выдерживать напряжение коллектор-эмиттер до 160 В. С мощностью в 0,25 Вт, он гарантирует надежность и долговременную работу в электронных схемах. Компактный корпус SOT23|TO236AB обеспечивает легкую интеграцию в различные устройства. Используйте BSR19A215 для уверенной и стабильной работы ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.3 Напряжение коллектор-эмиттер, В 160 Мощность, Вт 0.25 Корпус SOT23, TO236AB

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Длина3 mm
Package TypeSOT-23
Высота1 mm
КорпусSOT-23
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation250mW
Minimum DC Current Gain80
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation250 mW
Maximum Operating Frequency300 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current300mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage180 V
Maximum Collector Emitter Voltage160 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage160V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности250 mW
Другие названия товара №BSR19A T/R
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток300 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)180 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.160 V
Максимальный постоянный ток коллектора600 mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.80 at 1 mA at 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация