Моя заявка (0)

BSR14, Транзистор биполярный стандартный SOT23

BSR14, Транзистор биполярный стандартный SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061822427
Артикул
BSR14
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Width
1.3 mm
Height
0.93 mm
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Биполярный транзистор BSR14 от производителя ONSEMI представляет собой высококачественный компонент в корпусе SOT23 для SMD монтажа. С типом NPN и мощностью 0,35 Вт, данный транзистор способен работать при токе коллектора до 0,8 А и напряжении коллектор-эмиттер до 40 В. Идеально подходит для широкого спектра области применения, включая усилители сигнала, переключающие устройства и другие электронные схемы, где требуются надежность и долговечность. Модель BSR14 станет отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся к оптимальному сочетанию производительности и компактности в своих проектах. Код товара BSR14 обеспечивает легкость в интеграции и совместимость с множеством современных электронных компонентов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.8 Напряжение коллектор-эмиттер, В 40 Мощность, Вт 0.35 Корпус SOT23

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor/Fairchild
Width1.3 mm
Height0.93 mm
Length2.92 mm
SeriesBSR14
PackagingReel
Pin Count3
Вес, г0.03
Длина2.92 mm
СерияBSR14
Unit Weight0.001058 oz
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeSOT-23
Высота0.93 mm
КорпусSOT-23(TO-236)| SOT-23
Ширина1.3 mm
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Part # AliasesBSR14_NL
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity3000
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation350 mW
DC Current Gain hFE Max300
Minimum DC Current Gain50
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Gain Bandwidth Product fT300 MHz
Maximum Power Dissipation350 mW
Emitter- Base Voltage VEBO6 V
Maximum Operating Frequency300 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокSOT-23-3
Collector- Base Voltage VCBO75 V
Continuous Collector Current0.8 A
Maximum DC Collector Current0.8 A
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Collector Base Voltage75 V
Maximum Collector Emitter Voltage40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max40 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Saturation Voltage1 V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности350 mW
Другие названия товара №BSR14_NL
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток0.8 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)75 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.8 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация