BSP92PH6327XTSA1, Транзистор P-МОП, полевой, -250В, -260мА, 1,8Вт, PG-SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043236907
- Артикул
- BSP92PH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- V(DS)
- 250 V
- Width
- 3.5mm
- P(tot)
- 1.8 W
- Series
- SIPMOS
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Полевой транзистор BSP92PH6327XTSA1 производства INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET, разработанный для применения в современной электронике. Данный компонент обеспечивает ток стока до 0,26 А и может работать при напряжении сток-исток до 250 В. Он характеризуется мощностью 1,8 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 12 Ом, что делает его эффективным в управлении электрическими нагрузками. Монтаж этого транзистора осуществляется методом поверхностного монтажа (SMD), а благодаря корпусу PG-SOT223 он легко интегрируется в различные электронные схемы. Выбирая BSP92PH6327XTSA1 для своих проектов, вы получаете надежный компонент от признанного лидера в области полупроводниковых технологий. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.26 Напряжение сток-исток, В 250 Мощность, Вт 1.8 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 12 Корпус PG-SOT223
Технические параметры
| V(DS) | 250 V |
| Width | 3.5mm |
| P(tot) | 1.8 W |
| Series | SIPMOS |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| Package | SOT-223 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Вес, г | 0.15 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-223 |
| Монтаж | SMD |
| Configuration | P-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 12000 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 0.26 A |
| Transistor Material | Si |
| Ток стока, А | 0.26 |
| Мощность, Вт | 1.8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.3 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 260 mA |
| Напряжение сток-исток, В | 250 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 12 |