BSP89H6327XTSA1, Транзистор МОП силовой N-канальный 240В 0,35A 1,8В
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062250132
- Артикул
- BSP89H6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 3.5 mm
- Height
- 1.6 mm
Цена по запросу
(от 138 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SIPMOS Sm-Signal 240V 6Ohm 350mA
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 3.5 mm |
| Height | 1.6 mm |
| Length | 6.5 mm |
| Series | BSP89 |
| Fall Time | 18.4 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 3.5 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.16 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | BSP89 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SOT-223 |
| Высота | 1.6 mm |
| Ширина | 3.5 mm |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Part # Aliases | BSP89H6327XTSA1 SP001058794 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 6.4 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 18.4 ns |
| Pd - Power Dissipation | 1.8 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.3 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 4 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15.9 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 240 V |
| Id - Continuous Drain Current | 350 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 180 mS |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Qg - заряд затвора | 6.4 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 6 Ω |
| Время нарастания | 3.5 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 350 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.2 Ohms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 240 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
| Другие названия товара № | BSP89 H6327 SP001058794 |
| Id - непрерывный ток утечки | 350 mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 240 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 15.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 180 mS |