SIPMOS® P-Channel MOSFET, 2.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 BSP613PH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032956580
- Артикул
- BSP613PH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-SOT223
- V(DS)
- 60 V
- Width
- 40mm
- P(tot)
- 1.8 W
Цена по запросу
(от 126 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальные P-канальные МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® обладают рядом функций, которые могут включать режим усиления, постоянный ток разряда, иногда достигающий -80 А, а также широкий диапазон рабочиx температур.
Технические параметры
| Case | PG-SOT223 |
| V(DS) | 60 V |
| Width | 40mm |
| P(tot) | 1.8 W |
| Series | SIPMOS® |
| Package | SOT-223 |
| Version | P-channel |
| Assembly | SMD |
| Mounting | SMD |
| Enclosure | PG-SOT223 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Power loss | 1.8 W |
| Technology | SIPMOS™ |
| Вес, г | 6 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Max. current | -2.9 A |
| Package Type | SOT-223 |
| Polarisation | unipolar |
| max. Voltage | -60 V |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | P-CH |
| Drain current | -2.9A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 130 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 2.9 A |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 1.8W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.13Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | -60V |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Особенности | - |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.2x10<sup>-8</sup> C |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 10.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.9 A |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 130 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |