BSP61,115, Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 60В, 1А, 1,25Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073237716
- Артикул
- BSP61,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- Type
- PNP
- Brand
- Nexperia
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор BSP61,115 от производителя NEXPERIA объединяет в себе высокие характеристики и надежность. Модель оснащена монтажом типа SMD, что облегчает ее интеграцию в различные электронные схемы. С током коллектора в 1 А и напряжением коллектор-эмиттер в 60 В, этот компонент способен выдерживать мощность до 1,5 Вт, предоставляя превосходную эффективность. Корпус SOT223 обеспечивает компактное исполнение и удобство монтажа. Тип PNP Дарлингтон подчеркивает его способность к усилению слабых сигналов, что делает BSP61115 идеальным выбором для широкого спектра областей применения, от автоматизации до потребительской электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP, Дарлингтон Монтаж SMD Ток коллектора, А 1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 60 Мощность, Вт 1.5 Корпус SOT223
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| Type | PNP |
| Brand | Nexperia |
| Width | 3.7mm |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 0.15 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | SOT-223 |
| Product Type | Darlington Transistors |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-3 |
| Part # Aliases | BSP61 T/R |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Darlington Transistors |
| Supplier Package | SC-73 |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| DC Current Gain HFE Max | 1000 |
| Minimum DC Current Gain | 1000 150mA 10V|2000 500mA 10V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature Range | -65 C to+150 C |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Continuous Collector Current | -1 A |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 1000 |
| Maximum Collector Base Voltage | -80 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Cut-off Current | -0.00005mA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Continuous Collector Current | -1 A |
| Typical Current Gain Bandwidth (MHz) | 200 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | -1.9 V |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.9 0.5mA 500mA |
| Maximum Continuous DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | -1.3 V |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.3 0.5mA 500mA |