BSP52T1G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 800мА, 1Вт, SOT223-4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063216566
- Артикул
- BSP52T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- onsemi
- Width
- 3.5mm
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.17
Цена по запросу
(от 34 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт
Технические параметры
| Brand | onsemi |
| Width | 3.5mm |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.17 |
| Package Type | SOT-223 |
| Корпус | SOT-223 | PGSOT2234 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Minimum DC Current Gain | 2000 |
| Transistor Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 90 V |
| кол-во в упаковке | 1000 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 1 A |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.9 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.3 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |