Моя заявка (0)

BSP50,115, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 45В, 1А, 1,25Вт, SOT223

BSP50,115, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 45В, 1А, 1,25Вт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031398079
Артикул
BSP50,115
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
Width
3.7mm
Pin Count
4
Вес, г
0.14
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Биполярный транзистор BSP50 от производителя NEXPERIA - это высококачественный компонент типа NPN Дарлингтон, предназначенный для использования в электронных схемах. Модель характеризуется монтажом типа SMD, что обеспечивает его удобную установку на поверхностно-монтируемые платы. Ток коллектора достигает 1 А, напряжение коллектор-эмиттер - 45 В, а мощность составляет 1,25 Вт. Корпус данного транзистора выполнен в формате SOT223, что делает его компактным и удобным для многих областей применения. Используя BSP50115 в разработках, можно значительно повысить эффективность и надежность устройства. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN, Дарлингтон Монтаж SMD Ток коллектора, А 1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 45 Мощность, Вт 1.25 Корпус SOT223

Технические параметры

GradeAutomotive
Width3.7mm
Pin Count4
Вес, г0.14
Power - Max1.25 W
Package TypeSOT-223(SC-73)
КорпусSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Operating Temperature150°C(TJ)
Frequency - Transition200MHz
Minimum DC Current Gain1000
Supplier Device PackageSOT-223
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1 W
Number of Elements per Chip1
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)1 A
Maximum Collector Base Voltage60 V
Current - Collector Cutoff (Max)50nA
Maximum Collector Cut-off Current0.00005mA
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Maximum Continuous Collector Current1 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce2000 @ 500mA, 10V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage1.9 V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage1.3 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45

Техническая документация