BSP324H6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 400В, 170мА, 1,8Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062931912
- Артикул
- BSP324H6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- V(DS)
- 400 V
- Width
- 3.5mm
- P(tot)
- 1.8 W
- Series
- SIPMOS
Цена по запросу
(от 58 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| V(DS) | 400 V |
| Width | 3.5mm |
| P(tot) | 1.8 W |
| Series | SIPMOS |
| Package | SOT-223 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Вес, г | 0.15 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 25000 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 0.17 A |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.54 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 25 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 170 mA |