BSP316PH6327XTSA1, Транзистор P-МОП, полевой, -100В, -680мА, 1,8Вт, PG-SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038437438
- Артикул
- BSP316PH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- V(DS)
- 100 V
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 1.8 W
- Package
- SOT-223
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSP316PH6327XTSA1 от производителя INFINEON – высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD (поверхностного) монтажа. Отличается стабильным током стока 0,68 А и работает при напряжении сток-исток в 100 В. Этот транзистор обеспечивает мощность до 1,8 Вт, при этом сопротивление в открытом состоянии составляет всего 1,8 Ом, обеспечивая эффективную работу в широком диапазоне применений. Компактный корпус PG-SOT223 подходит для множества современных электронных схем. Идеален для управления мощностью и сигналами. Для получения дополнительной информации и покупки используйте код товара BSP316PH6327XTSA1 без пробелов и специальных символов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.68 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 1.8 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 1.8 Корпус PG-SOT223
Технические параметры
| V(DS) | 100 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 1.8 W |
| Package | SOT-223 |
| Series: | BSP316 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Fall Time: | 25.9 ns |
| Rise Time: | 7.5 ns |
| Вес, г | 0.18 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT223 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | P-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 1800 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| I(D)at Tc=25°C | 0.68 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSP316P H6327 SP001058754 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.1 nC |
| Структура | P-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.8W |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.4nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.7 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 146pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 67.4 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 680mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 680 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 500 mS |
| Maximum Continuous Drain Current | 680 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@170uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.68 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.8Ω@680mA, 10V |