BSP297H6327XTSA1, Транзистор МОП N-канал 200В 0,66A 1,8Вт 1,8Ом SOT2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023129861
- Артикул
- BSP297H6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- V(DS)
- 200 V
- Width
- 3.5mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 1.8 W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSP297H6327XTSA1 от известного производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технике. С током стока 0,66 А и напряжением сток-исток 200 В, данный транзистор обеспечивает стабильную работу в различных электронных схемах. Мощность устройства составляет 1,8 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 1,8 Ом, что гарантирует его эффективность и надежность в использовании. Компактный корпус SOT223 обеспечивает удобство монтажа и экономию пространства на плате. Ищите BSP297H6327XTSA1 для своих проектов, где требуется надежный и долговечный компонент. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.66 Напряжение сток-исток, В 200 Мощность, Вт 1.8 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 1.8 Корпус SOT223
Технические параметры
| V(DS) | 200 V |
| Width | 3.5mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 1.8 W |
| Series | SIPMOS® |
| Package | SOT-223 |
| Series: | BSP297 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Fall Time: | 19 ns |
| Rise Time: | 3.8 ns |
| Вес, г | 0.16 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 1800 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| I(D)at Tc=25°C | 0.66 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Part # Aliases: | BSP297 H6327 SP001058622 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.9 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12.9 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.2 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 49 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 660 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 470 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.8 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 660 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.66 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1, 8Ом |