BSP225,115, Транзистор P-MOSFET, полевой, -250В, -225мА, 1,5Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024650403
- Артикул
- BSP225,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Width
- 3.7mm
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 127,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -250В, -225мА, 1,5Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Width | 3.7mm |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | P-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.14 |
| Длина | 6.7 mm |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-223 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1.7 mm |
| Корпус | SOT223 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | BSP225 -> |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15Ohm @ 200mA, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.8V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 15 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 225 mA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 225mA (Ta) |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Другие названия товара № | 934000510115 |
| Id - непрерывный ток утечки | 225 mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.5 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.225 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |