BSP16T1G PNP Transistor, -100 mA, -300 V, 3 + Tab-Pin TO-223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026406032
- Артикул
- BSP16T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3+Tab
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 6.5 mm
- Серия
- BSP16
Цена по запросу
(от 68,85 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 300В, 100мА, 1,5Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | BSP16 |
| Package Type | TO-223 |
| Высота | 1.57 mm |
| Корпус | TO-223 |
| Ширина | 3.5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 30 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Maximum Operating Frequency | 30 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -6 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -350 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -300 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 350 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 15 MHz |