BSP149H6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный 200В 0,66A 1,8Вт 1,8Ом
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066539251
- Артикул
- BSP149H6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 3.5mm
- Series
- SIPMOS
Цена по запросу
(от 113 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 3.5mm |
| Series | SIPMOS |
| Тип | MOSFET |
| Military | No |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 0.15 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | BSP149 |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SOT-223 |
| Высота | 1.6 mm |
| Ширина | 3.5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part # Aliases | BSP149H6327XTSA1 SP001058818 |
| Product Category | MOSFET |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Описание | MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 |
| Упаковка | REEL, 1000 шт. |
| Process Technology | SIPMOS |
| Transistor Material | Si |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 21 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Канальный режим | Depletion |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.8 Ω |
| Время нарастания | 3.4 ns |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 660 mA |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 1800 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 11@5V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Typical Output Capacitance - (pF) | 41 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 200 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 1 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 0.66 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 326@25V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1800@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
| Другие названия товара № | BSP149H6327XTSA1 SP001058818 |
| Id - непрерывный ток утечки | 660 mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 64*40*52/1000 |
| Типичное время задержки при включении | 5.1 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 400 mS |