Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET TransIstor, 120 mA PG-SOT223 InfIneon BSP135H6906XTSA1

N-Channel MOSFET TransIstor, 120 mA PG-SOT223 InfIneon BSP135H6906XTSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063717608
Артикул
BSP135H6906XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
BSP135
Fall Time:
182 ns
Rise Time:
5.6 ns
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный MOSFET-транзистор Infineon работает в режиме истощения. Его максимальная рассеиваемая мощность равна 1.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:BSP135
Fall Time:182 ns
Rise Time:5.6 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-SOT223
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Depletion
Manufacturer:Infineon
Package/Case:SOT-223-4
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:BSP135 H6906 SP001058594
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:3.7 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:1.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5.4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:28 ns
Id - Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:80 mS
Maximum Continuous Drain Current120 mA
Rds On - Drain-Source Resistance:30 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация