N-Channel MOSFET Transistor, 120 mA PG-SOT223 BSP135H6906XTSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030976994
- Артикул
- BSP135H6906XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- BSP135
- Fall Time:
- 182 ns
- Rise Time:
- 5.6 ns
Цена по запросу
(от 487,34 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный MOSFET-транзистор Infineon работает в режиме истощения. Его максимальная рассеиваемая мощность равна 1.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | BSP135 |
| Fall Time: | 182 ns |
| Rise Time: | 5.6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-SOT223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT223 |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSP135 H6906 SP001058594 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |