BSP135H6327XTSA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8392643562
- Артикул
- BSP135H6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- V(DS)
- 600 V
- Width
- 3.5mm
- P(tot)
- 1.8 W
- Series
- SIPMOS
Цена по запросу
(от 254 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| V(DS) | 600 V |
| Width | 3.5mm |
| P(tot) | 1.8 W |
| Series | SIPMOS |
| Тип | MOSFET |
| Package | SOT-223 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Вес, г | 1.814 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 60000 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| RoHS Compliant | Yes |
| I(D)at Tc=25°C | 0.12 A |
| Описание | MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 |
| Упаковка | REEL, 1000 шт. |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.7 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 45 Ω |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 mA |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 25 Ом |