BSP125H6327XTSA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8924605645
- Артикул
- BSP125H6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- V(DS)
- 600 V
- P(tot)
- 1.5 W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSP125H6327XTSA1 от INFINEON представляет собой высокопроизводительный N-MOSFET компонент в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD). Отличается током стока 0,12 А, напряжением сток-исток 600 В и мощностью 1,8 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет 45 Ом, что делает его оптимальным выбором для различных областей применения, требующих эффективного управления питанием. Данный компонент идеален для использования в электронных схемах, где требуется высокая надежность и долговечность. Код товара BSP125H6327XTSA1 подтверждает его уникальность и стандарты качества, установленные компанией INFINEON. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.12 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 1.8 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 45 Корпус SOT223
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| V(DS) | 600 V |
| P(tot) | 1.5 W |
| Series | SIPMOSВ® -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | REEL |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.048 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | BSP125 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1.6 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.5 mm |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 45000 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| I(D)at Tc=25°C | 0.12 A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 94ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | BSP125 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 110 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45Ohm @ 120mA, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Qg - заряд затвора | 6.6 nC |
| Время нарастания | 14.4 ns |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120mA (Ta) |
| Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
| Другие названия товара № | BSP125 H6327 SP001058576 |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 mA |
| Крутизна характеристики, S | 60 mS |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.7 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 25 Ом |