OptiMOS™ Dual Silicon N-Channel MOSFET, 5 A, 55 V, 8-Pin SOIC BSO604NS2XUMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016722135
- Артикул
- BSO604NS2XUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 413,91 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Конструкция MOSFET-транзисторов Infineon, также известныx как MOSFET-транзисторы, расшифровывается как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.035 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.031 Ом |