BSO203SPHXUMA1, Trans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin DSO T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001292461
- Артикул
- BSO203SPHXUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- Unknown
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 165 ₽)
Минимальный заказ: 466 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET P-CH 20V 7A с 8-контактным разъемом DSO T/R
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | Unknown |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | NRND |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DSO |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Power Dissipation | 2.5Вт |
| Process Technology | OptiMOS |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | SOP |
| Typical Fall Time (ns) | 74 |
| Typical Rise Time (ns) | 55 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 26@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Drain Source On State Resistance | 0.015Ом |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 45 |
| Линейка Продукции | OptiMOS |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2500@15V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 21@4.5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Непрерывный Ток Стока | 7А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 900мВ |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.015Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |