BSN20BKR, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,17А, 402мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014887769
- Артикул
- BSN20BKR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- RoHS
- Details
- Brand
- Nexperia
- Width
- 1.4mm
- Series
- BSN20BK
Цена по запросу
(от 4,75 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,17А, 402мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Nexperia |
| Width | 1.4mm |
| Series | BSN20BK |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Fall Time | 5.1 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 8.4 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | sot23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 490 pC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5.1 ns |
| Pd - Power Dissipation | 402 mW |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 1.67 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.49 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 7.9 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12.5 ns |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | 265 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Qg - заряд затвора | 0.49 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.8 Ω |
| Время нарастания | 8.4 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 330 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.8 Ohms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV |
| Pd - рассеивание мощности | 402 mW |
| Другие названия товара № | 934068054215 |
| Id - непрерывный ток утечки | 265 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 12.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.9 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.17 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.402 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 600 mV |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.8 Ohms |