BSM300D12P3E005, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 300 A, 1.2 kV, Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004512544
- Артикул
- BSM300D12P3E005
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 280
- Channel Type
- Dual N Channel
- Power Dissipation
- 1.26кВт
- Структура
- N-Channel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
BSM300D12P3E005 - это модуль питания SiC. Данное изделие представляет собой полумостовой модуль, состоящий из SiC-DMOSFET и SiC-SBD от ROHM. Область применения: электропривод, инвертор, преобразователь, фотоэлектрическая теxника, ветроэнергетика, оборудование для индукционного нагрева. • Низкий уровень перенапряжений, низкие потери при переключении, возможность высокоскоростного переключения • Уменьшенная температурная зависимость • Статическое напряжение 1,7 В во включенном состоянии (тип, Tj=25°C, ID=300 А, VGS=18 В) • Напряжение сток-исток 2,5 В (тип, Tj=125°C, ID=300 А, VGS=18 В) • Ток отключения стока 2 мА (макс., VDS=1200 В, VGS=0 В, Tj=25°C) • Напряжение истока-стока 2,0 В (тип, VGS=0 В, IS=300 А, Tj=25°C) • Вxодная емкость 14 Нф (тип, VDS=10 В, VGS=0 В, 200 кГц, Tj=25°C) • Напряжение изоляции 2500 В/С (подключение клемм к опорной плите f = 60 Гц переменного тока в течение 1 мин, Tj = 25°C) • Диапазон температур соединения от -40 до 150°C
Технические параметры
| Вес, г | 280 |
| Channel Type | Dual N Channel |
| Power Dissipation | 1.26кВт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Непрерывный Ток Стока | 300А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.26кВт |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |