BSM300C12P3E201, MOSFET Modules 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006313117
- Артикул
- BSM300C12P3E201
- Бренд
- Rohm
- Type:
- SiC Power Module
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 40 ns
- Packaging:
- Bulk
Цена по запросу
(от 154 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые модули SiC Semiconductor ROHM представляют собой полумостовые SiC-модули, которые объединяют SiC MOSFET и SiC SBD в одном корпусе. Эти модули ROHM поддерживают высокочастотную работу за счет снижения потерь при переключении. Оптимизированная конструкция снижает паразитную индуктивность по сравнению с существующими решениями. А для предотвращения чрезмерного тепловыделения предлагаются модели типа E, в которые встроен дополнительный терморезистор.
Технические параметры
| Type: | SiC Power Module |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 40 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 35 ns |
| Вес, г | 616 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | Module |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vf - Forward Voltage: | 1.6 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Factory Pack Quantity: | 4 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 1.36 kW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 155 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 300 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1360 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |