BSM180D12P3C007, MOSFET Modules Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006205318
- Артикул
- BSM180D12P3C007
- Бренд
- Rohm
- Type:
- Half-Bridge
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 50 ns
- Packaging:
- Tray
Цена по запросу
(от 145 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые устройства из карбида кремния (SiC) ROHM Semiconductor SiC Power Devices обеспечивают в 10 раз большую напряженность поля пробоя диэлектрика, в 3 раза большую ширину запрещенной зоны и в 3 раза большую теплопроводность по сравнению с обычными кремниевыми решениями. Это приводит к снижению потерь при переключении, снижению сопротивления и поддержке работы при высокиx температураx, что позволяет свести к минимуму потери мощности наряду с размерами модуля. Силовые устройства ROHM SiC также позволяют разработчикам использовать меньшее количество компонентов, что еще больше снижает сложность проектирования.
Технические параметры
| Type: | Half-Bridge |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 50 ns |
| Packaging: | Tray |
| Rise Time: | 70 ns |
| Вес, г | 280 |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | Dual N Channel |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | Module |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Half-Bridge |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Power Dissipation | 880Вт |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Typical Delay Time: | 50 ns |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Factory Pack Quantity: | 12 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 880 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 165 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 180 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Непрерывный Ток Стока | 180А |
| Рассеиваемая Мощность | 880Вт |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Пороговое напряжение на затворе | -6 V, +22 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |