Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 204 A, 1200 V Module BSM180D12P2E002

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030969796
Артикул
BSM180D12P2E002
Бренд
Rohm
Тип
SiC Power MOSFET
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
Module
Цена по запросу
(от 206 800 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ROHM BSM180D12P2E002 - это полумостовой модуль, состоящий из Sic DMOSFET и Sic-SBD. Этот модуль питания обеспечивает низкий уровень перенапряжений, низкие потери при переключении, высокую скорость переключения, возможность снижения температурной зависимости. Полумостовой модуль питания Sic идеально подxодит для такиx применений, как привод двигателя, инверторный преобразователь, фотоэлектрическая теxника, ветроэнергетика, оборудование для индукционного нагрева.

Технические параметры

ТипSiC Power MOSFET
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeModule
Mounting TypeScrew Mount
ПродуктPower MOSFET Modules
СтруктураN-Channel
Вид монтажаScrew Mount
Время спада45 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаDiscrete Semiconductor Modules
ПодкатегорияDiscrete Semiconductor Modules
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокModule
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Время нарастания45 ns
Maximum Continuous Drain Current204 A
Категория продуктаДискретные полупроводниковые модули
Vr - обратное напряжение1200 V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1360 W
Id - непрерывный ток утечки204 A
Размер фабричной упаковки4
Vgs - напряжение затвор-исток18 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток1200 V
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения125 ns
Типичное время задержки при включении45 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А204
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация