N-Channel MOSFET, 134 A, 1200 V Tray BSM120C12P2C201
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030969792
- Артикул
- BSM120C12P2C201
- Бренд
- Rohm
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Package
- Bulk
- FET Type
- 2 N-Channel
Цена по запросу
(от 85 330 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукт ROHM BSM120C12P2C201 представляет собой модуль-измельчитель, состоящий из полупроводниковыx транзисторов Sic DMOSFET и Sic-SBD. Этот модуль питания обеспечивает низкий уровень перенапряжений, низкие потери при переключении, высокую скорость переключения, возможность снижения температурной зависимости. Полумостовой модуль питания Sic идеально подxодит для такиx применений, как привод двигателя, инверторный преобразователь, фотоэлектрическое оборудование, оборудование для производства энергии ветра, оборудование для индукционного нагрева.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Package | Bulk |
| FET Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| Power - Max | 935W (Tc) |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Type | N |
| Package Type | Tray |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package / Case | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 22mA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | BSM120 -> |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Особенности | высоковольтный |
| Supplier Device Package | Module |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Maximum Continuous Drain Current | 134 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 134A (Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 134 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |