Модуль IGBT Infineon BSM10GD120DN2

Описание

МОДУЛЬ IGBT, 1200 В, ECONOPACK3; Полярность транзистора: N-канальный; Ток коллектора постоянного тока: 15 А; Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (вкл.): 3,2 В; Рассеиваемая мощность Pd: 80 Вт; Напряжение коллектора-эмиттера V(вкл.)ceo:1,2 кВ; Тип корпуса транзистора: EconoPACK; Количество контактов:17 контактов; Максимальная рабочая температура: 125°C; Ассортимент продукции: -; SVHC: Без SVHC (с 27 июня 2018 г.); Максимальный постоянный ток микросxемы: 15 А; Текущая температура: 80°C; Номинальная температура при полной мощности: 25°C; Конфигурация модуля: Шесть; Количество транзисторов:6; Минимальная рабочая температура: -40°C; Диапазон рабочиx температур: от -40°C до +125°C; Максимальная рассеиваемая мощность: 80 Вт; Импульсный ток Icm: 30 А; Тип соединения: припой; Тип постоянного напряжения Vce: 2,7 В; Напряжение постоянного тока Vce: 1,2 кВ

Технические параметры