Моя заявка (0)

BSM080D12P2C008, Trans MOSFET N-CH SiC 1,2 кВ 80A 10-контактный лоток

BSM080D12P2C008, Trans MOSFET N-CH SiC 1,2 кВ 80A 10-контактный лоток

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068017128
Артикул
BSM080D12P2C008
Бренд
Rohm
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Package
Tray
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Цена по запросу
(от 55 000 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Trans MOSFET N-CH SiC 1,2 кВ 80A 10-контактный лоток Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
PackageTray
FET Type2 N-Channel (Dual)
Вес, г150
FET FeatureSilicon Carbide (SiC)
Power - Max600W
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeChassis Mount
Package / CaseModule
Simulation Modelshttp://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 13.2mA
Base Product NumberBSM080 ->
Operating Temperature175В°C (TJ)
Other Related Documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/power/inn
Supplier Device PackageModule
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C80A (Tc)

Техническая документация