BSL316CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, 30/-30В, 1,4/-1,5А, 0,5Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017226338
- Артикул
- BSL316CH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 1.6mm
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.02
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSL316CH6327XTSA1 от производителя INFINEON выделяется своей универсальностью и эффективностью. Этот N+P-MOSFET предназначен для монтажа SMD и имеет корпус типа TSOP6|PG-TSOP-6, что обеспечивает его легкую интеграцию в различные электронные устройства. С током стока 1,4 А, напряжением сток-исток 30 В и мощностью 0,5 Вт, этот транзистор способен обеспечить высокую производительность при сопротивлении в открытом состоянии всего 0,191 Ом. Его область применения широка, начиная от повседневной электроники и заканчивая более сложными электронными схемами. Используя BSL316CH6327XTSA1 в вашем проекте, вы получаете надежное и долговечное решение для эффективного управления электронными процессами. Код товара, BSL316CH6327XTSA1, гарантирует быстрый поиск и удобство при заказе. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N+P-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 1.4 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 0.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.191 Корпус TSOP6, PG-TSOP-6
Технические параметры
| Width | 1.6mm |
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | TSOP-6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N and P Complement; Continuous Drain Current Id |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 5 V, 2.4 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 270 mΩ, 280 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.4 A, 1.5 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 0.5 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |