OptiMOS P Dual P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 6-Pin TSOP-6 BSL308PEH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024463408
- Артикул
- BSL308PEH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TSOP-6
- Q(g)
- 5 nC
- Brand
- Infineon
- V(DS)
- 30 V
Цена по запросу
(от 69 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™: P-канальные силовые МОП -транзисторы Infineon OptiMOS™ разработаны таким образом, чтобы обеспечивать расширенные возможности и высокое качество исполнения. Характеристики включают в себя сверxнизкие потери при переключении, сопротивление во включенном состоянии, лавинообразные xарактеристики, а также соответствие требованиям AEC для автомобильныx решений. Области применения включают постоянный ток, управление двигателями, автомобилестроение и мобильность.
Технические параметры
| Case | PG-TSOP-6 |
| Q(g) | 5 nC |
| Brand | Infineon |
| V(DS) | 30 V |
| P(tot) | 0.5 W |
| Series | OptiMOS P |
| Package | TSOP-6 |
| Military | No |
| Mounting | SMD |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | Yes |
| Technology | OptiMOS™ P3 |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | TSOP-6 |
| Polarisation | unipolar |
| Configuration | DUAL P-CH |
| Drain current | -2A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 62 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 2 A |
| Kind of channel | enhanced |
| Supplier Package | TSOP |
| Power dissipation | 0.5W |
| Process Technology | OptiMOS |
| Type of transistor | P-MOSFET x2 |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 80mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | Dual P Channel; Continuous Drain Current Id |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Drain-source voltage | -30V |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Standard Package Name | SOP |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Особенности | полевая сборка |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 500pF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 500 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 5@10V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 376@15V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 80@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -20 V, +20 V |