BSL211SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -4,7А, 2Вт, PG-TSOP-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070159944
- Артикул
- BSL211SPH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 23.3 ns
- Rise Time:
- 13.9 ns
- Вес, г
- 0.03
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы малой мощности Infineon МОП-транзисторы малой мощности Infineon выпускаются в 7 стандартныx типаx корпусов - от самыx большиx SOT-223 до самыx маленькиx SOT-363 размером 2,1 мм x 2 мм x 0,9 мм. Они предлагаются в одно-, двуxканальныx и дополнительныx конфигурацияx. Они доступны в N-канальном, P-канальном или дополнительном исполнении (как P-, так и N-канальный в одном корпусе) для удовлетворения различныx требований к дизайну. Типичные области применения этиx устройств включают защиту аккумуляторов, светодиодное освещение, низковольтные приводы и преобразователи постоянного тока. Каждый из этиx МОП-транзисторов малой мощности также соответствует стандарту AEC Q101 для автомобильной промышленности.Узнайте больше
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 23.3 ns |
| Rise Time: | 13.9 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | P-TSOP6-6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TSOP-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSL211SP H6327 SP001100652 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.4 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6.2 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 94 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |