Моя заявка (0)

BSH205G2R, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -1,2А, 890мВт, SOT23

BSH205G2R, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -1,2А, 890мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014887776
Артикул
BSH205G2R
Бренд
Nexperia B.V.
RoHS
Details
Brand
Nexperia
Width
1.4mm
Series
BSH205G2
Цена по запросу
(от 30,69 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, P-CH, -20V, -2A, TO236AB; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -2A; Напряжение источника стока Vds: -20 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,12 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: -4,5 В; Пороговое напряжение Vgs:-700 мВ

Технические параметры

RoHSDetails
BrandNexperia
Width1.4mm
SeriesBSH205G2
Fall Time16 ns
PackagingReel
Pin Count3
Rise Time14 ns
TechnologySi
Вес, г0.02
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ManufacturerNexperia
Package TypeSOT-23
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Transistor Type1 P-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge3.7 nC
Number of Channels1 Channel
Automotive StandardAEC-Q101
Transistor PolarityP-Channel
Factory Pack Quantity3000
Forward Diode Voltage1.2V
Pd - Power Dissipation890 mW
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation6.25 W
Typical Gate Charge @ Vgs3.7 nC @-4.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage8 V
Typical Turn-On Delay Time5 ns
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time43 ns
Maximum Drain Source Voltage20 V
Id - Continuous Drain Current-2.3 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min4.5 S
Maximum Gate Threshold Voltage0.95V
Minimum Gate Threshold Voltage0.45V
Maximum Drain Source Resistance170 mΩ
Maximum Continuous Drain Current2.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance120 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage-20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage-950 mV

Техническая документация