P-Channel MOSFET, 470 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 BSH203,215
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010429864
- Артикул
- BSH203,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 1.4mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 5
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 23 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -300мА, 170мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 417 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.2 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.68V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 900 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 470 mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.47 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |