Моя заявка (0)

BSH111BKR, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 0,13А, 364мВт, SOT23

BSH111BKR, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 0,13А, 364мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014887768
Артикул
BSH111BKR
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET Type
N-Channel
Цена по запросу
(от 7,19 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 0,13А, 364мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)В±10V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г0.02
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Корпусsot23
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250ВµA
СтруктураMOSFET
Base Product NumberBSH111 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада4.8 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 200mA, 4.5V
Особенности-
Power Dissipation (Max)302mW (Ta)
Supplier Device PackageTO-236AB
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5nC @ 4.5V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel Trench MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Qg - заряд затвора0.5 nC
Время нарастания8.4 ns
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C210mA (Ta)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности364 mW
Другие названия товара №934068056215
Id - непрерывный ток утечки210 mA
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток55 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения12.6 ns
Типичное время задержки при включении8.3 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток600 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.364
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В600 mV
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4 Ohms

Техническая документация