Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 BSH108,215

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8940492296
Артикул
BSH108,215
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
2
Длина
3мм
Высота
1мм
Корпус
SOT-23
Цена по запросу
(от 58 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 1,2А, 830мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Вес, г2
Длина3мм
Высота1мм
КорпусSOT-23
Ширина1.4мм
Размеры3 x 1.4 x 1мм
КатегорияМощный МОП-транзистор
СтруктураN-Channel
Transistor PolarityN Channel
Тип каналаN
Тип корпусаSOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Особенности-
Номер каналаПоднятие
Transistor ConfigurationОдинарный
Vgs - Gate-Source Voltage2V @ 1mA
ПроизводительNexperia
Число контактов3
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Rds On - Drain-Source Resistance120mО© @ 1A,10V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)830mW(Tsp)
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C1.9A(Tsp)
Материал транзистораSI
Крутизна характеристики, S2
Количество элементов на ИС1
Типичный заряд затвора при Vgs6.4 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds190 пФ при 10 В
Максимальное рассеяние мощности830 мВт
Минимальная рабочая температура-65 °C
Максимальная рабочая температура+150 °C
Типичное время задержки включения3 нс
Максимальное напряжение сток-исток30 V
Максимальный непрерывный ток стока1.9 A
Типичное время задержки выключения15 нс
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Максимальное сопротивление сток-исток120 мОм
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация