BSH108,215, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 1,2А, 830мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024650398
- Артикул
- BSH108,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.02
- Длина
- 3мм
- Высота
- 1мм
- Ширина
- 1.4мм
Цена по запросу
(от 77,99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 1,2А, 830мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 3мм |
| Высота | 1мм |
| Ширина | 1.4мм |
| Размеры | 3 x 1.4 x 1мм |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Тип канала | N |
| Тип корпуса | SOT-23 (TO-236AB) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 1mA |
| Производитель | Nexperia |
| Число контактов | 3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 120mО© @ 1A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 830mW(Tsp) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 1.9A(Tsp) |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
| Типичная входная емкость при Vds | 190 пФ при 10 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 830 мВт |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Типичное время задержки включения | 3 нс |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Максимальный непрерывный ток стока | 1.9 A |
| Типичное время задержки выключения | 15 нс |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 120 мОм |