OptiMOS™ Dual N-Channel MOSFET, 50 A, 25 V, 8-Pin TISON-8 BSG0811NDATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014554062
- Артикул
- BSG0811NDATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 8
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 500 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Блок питания Infineon OptiMOS™ 5 представляет собой SMD-модуль без проводов размером 5,0x6,0 мм2, включающий в себя МОП-транзисторы с низкой и высокой нагрузкой в конфигурации синxронного понижающего преобразователя.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 8 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6 mm |
| Серия | OptiMOS 5 |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Power - Max | 2.5W |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TISON-8 |
| Высота | 1.15 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual)Asymmetrical |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 1.4 ns, 2.6 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| Особенности | полевая сборка |
| Supplier Device Package | PG-TISON-8 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TISON-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 8.4 nC, 29 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.003 Ω |
| Время нарастания | 4.7 ns, 4.3 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A, 41A |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 6.25 W |
| Другие названия товара № | BSG0811ND SP001075902 |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.4 mOhms, 700 uOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 4.3 ns, 8.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.3 ns, 5.6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 46 S, 90 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 6.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0024 Ом |