BSG0810NDIATMA1, Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0007 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012526772
- Артикул
- BSG0810NDIATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.17
- Длина
- 6 mm
- Серия
- OptiMOS 5
- Высота
- 1.15 mm
Цена по запросу
(от 448 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор LV POWER MOS
Технические параметры
| Вес, г | 0.17 |
| Длина | 6 mm |
| Серия | OptiMOS 5 |
| Высота | 1.15 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | полевая сборка |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TISON-8 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Другие названия товара № | BSG0810NDI SP001241674 |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0007 Ом |