Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 BSD840NH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014778433
- Артикул
- BSD840NH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- HTSUS
- 8541.21.0095
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSD840NH6327XTSA1 от производителя INFINEON является высококачественным компонентом для использования в электронных схемах. Этот транзистор обеспечивает ток стока 0,88 А и работает при напряжении сток-исток 20 В, что делает его подходящим для широкого спектра областей применения. С монтажом типа SMD и мощностью 0,5 Вт, он идеально подходит для поверхностного монтажа на печатных платах. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,4 Ом, что обеспечивает высокую эффективность. Корпус SOT363 способствует компактному дизайну и удобству в использовании. Повторное использование кода товара BSD840NH6327XTSA1 в тексте позволяет уточнить, что модель BSD840NH6327XTSA1 отличается надежностью и долговечностью, делая ее важным компонентом в любом проекте. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.88 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 0.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.4 Корпус SOT363
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Width | 1.25 mm |
| Height | 0.9 mm |
| Length | 2 mm |
| Series | OptiMOSв„ў -> |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Fall Time | 900 ps, 900 ps |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 6 |
| Rise Time | 2.2 ns, 2.2 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | BSD840 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 500mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SOT-363 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 0.9 mm |
| Корпус | SOT-363 |
| Монтаж | SMD |
| Ширина | 1.25 mm |
| Configuration | 2 N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part # Aliases | BSD840N BSD840NH6327XT H6327 SP000917654 |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 260 pC, 260 pC |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 1.6ВµA |
| Структура | P-Channel |
| Base Product Number | BSD840 -> |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 9000 |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 0.9 ns |
| Ток стока, А | 0.88 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 880mA, 2.5V |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Особенности | полевая сборка |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V, 8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 1.9 ns, 1.9 ns |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 7.8 ns, 7.8 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.26nC @ 2.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 880 mA, 880 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Forward Transconductance - Min | 2.5 S, 2.5 S |
| Qg - заряд затвора | 0.26 nC |
| Время нарастания | 2.2 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 880 mA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 270 mOhms, 270 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V, 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV, 300 mV |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 880mA |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Другие названия товара № | BSD840N BSD84NH6327XT H6327 SP000917654 |
| Id - непрерывный ток утечки | 880 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 7.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 1.9 ns |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.4 |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.88 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.5 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 Ом |