BSD235NH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 950мА, 500мВт, SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070198403
- Артикул
- BSD235NH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- SOT363
- V(DS)
- 20 V
- Width
- 1.25mm
- P(tot)
- 0.5 W
Цена по запросу
(от 16,94 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Семейство N-канальныx устройств Infineon OptiMOS™2 обладает самым низким в отрасли сопротивлением при включении в своей группе напряжений.
Технические параметры
| Case | SOT363 |
| V(DS) | 20 V |
| Width | 1.25mm |
| P(tot) | 0.5 W |
| Series | OptiMOS™ 2 |
| Package | SOT-363 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Technology | OptiMOS™ 2 |
| Вес, г | 0.02 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | SOT-363 |
| Polarisation | unipolar |
| Configuration | DUAL N-CH |
| Drain current | 0.95A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 350 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 0.95 A |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 0.5W |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Gate-source voltage | ±12V |
| On-state resistance | 0.35Ω |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | Dual N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Drain-source voltage | 20V |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.32 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Maximum Drain Source Resistance | 600 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 950 mA |