Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 950 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 BSD235CH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033014347
- Артикул
- BSD235CH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-SOT-363
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- V(DS)
- 20 V
Цена по запросу
(от 61,97 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Благодаря Infineon этот 20-вольтовый дополнительный P + N-канал широко используется в системаx с высокой коммутацией. Он рассчитан на лавинообразную работу и не содержит галогенов.
Технические параметры
| Case | PG-SOT-363 |
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| V(DS) | 20 V |
| Width | 9.25 mm |
| Height | 4.4 mm |
| Length | 10 mm |
| P(tot) | 0.5 W |
| Series | BSD235 |
| Package | SOT-363 |
| Mounting | SMD |
| Fall Time | 1.2 ns, 3.2 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 6 |
| Rise Time | 3.6 ns, 5 ns |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | BSD235 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SOT-363 |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 4.4 mm |
| Корпус | SOT-363 |
| Ширина | 9.25 mm |
| Configuration | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Drain current | 0.95/-0.53A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 350 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 |
| Part # Aliases | BSD235C BSD235CH6327XT H6327 SP000917610 |
| I(D)at Tc=25°C | 0.95 A |
| Kind of channel | enhanced |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 340 pC, -400 pC |
| Power dissipation | 0.5W |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±12V |
| On-state resistance | 0.415/1.221Ω |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Drain-source voltage | 20/-20V |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 9000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 1.2 ns, 3.2 ns |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-12 V, +/-12 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.8 ns, 3.8 ns |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 4.5 ns, 5.1 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PG-SOT-363-6 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 950 mA, 530 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 2 S, 700 mS |
| Qg - заряд затвора | 340 pC, - 400 pC |
| Время нарастания | 3.6 ns, 5 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 950 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 266 mOhms, 745 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V, -20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 700 mV, -1.2 V |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Другие названия товара № | BSD235C BSD235CH6327XT H6327 SP000917610 |
| Id - непрерывный ток утечки | 950 mA, 530 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V, 4.5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms, 1.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 4.5 ns, 5.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.8 ns, 3.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 700 mV, 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.95 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 700 mS, 2 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |