BSD223PH6327XTSA1, MOSFETs P-Ch DPAK-2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004723055
- Артикул
- BSD223PH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- V(DS)
- 20 V
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 0.25 W
- Вид
- N-MOSFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSD223PH6327XTSA1 от ведущего производителя INFINEON – это высокоэффективный компонент для современной электроники. С монтажом типа SMD, он характеризуется током стока в 0,39 А и напряжением сток-исток до 20 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. Мощность транзистора составляет 0,25 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 1,2 Ом, что гарантирует его эффективную работу. Модель N-MOSFET упакована в компактный корпус PG-SOT-363, идеально подходит для поверхностного монтажа. Используйте BSD223PH6327XTSA1 для повышения производительности вашей электронной аппаратуры. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.39 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 0.25 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 1.2 Корпус PG-SOT-363
Технические параметры
| V(DS) | 20 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 0.25 W |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| Package | SOT-363 |
| Series: | BSD223 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Fall Time: | 3.2 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.3 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-363 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Монтаж | SMD |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | DUAL P-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 1200 mOhm |
| Configuration: | Dual |
| Fast bodydiode | NO |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| I(D)at Tc=25°C | 0.39 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Part # Aliases: | BSD223P H6327 SP000924074 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 500 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Ток стока, А | 0.39 |
| Мощность, Вт | 0.25 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 390 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 350 mS |
| Maximum Continuous Drain Current | 390 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 1.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |