BSC900N20NS3GATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 200В, 15,2А, 62,5Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073099415
- Артикул
- BSC900N20NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 5.35mm
- Series
- OptiMOS™ 3
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.5
Цена по запросу
(от 230,49 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Width | 5.35mm |
| Series | OptiMOS™ 3 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TDSON |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 62.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 90 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 15.2 A |