OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 21 A, 150 V, 8-Pin TDSON BSC520N15NS3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024439007
- Артикул
- BSC520N15NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6.1mm
- Series
- OptiMOS 3
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 540 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Width | 6.1mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TDSON |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 18A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 57W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 57 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 52 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 57 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.042 Ом |