BSC520N15NS3G, 150V 21A 52mOhm@10V,18A 57W N Channel TDSON-8-EP(6x5) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025030112
- Артикул
- BSC520N15NS3G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type:
- OptiMOS 3 Power-Transistor
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 3 ns
- Rise Time:
- 4 ns
Цена по запросу
(от 120,85 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.
Технические параметры
| Type: | OptiMOS 3 Power-Transistor |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 0.15 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP000521716 BSC52N15NS3GXT BSC520N15NS3GATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 8.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Power Dissipation (Pd) | 57W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 57 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 21A |
| Id - Continuous Drain Current: | 21 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 21 S, 11 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 52 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@35uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 57 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 52mΩ@10V, 18A |