Моя заявка (0)
BSC360N15NS3 G, TDSON-8-EP(6x5) MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017631876
Артикул
BSC360N15NS3 G
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
4 ns
Rise Time:
6 ns
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 142,29 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы TDSON-8-EP(5x6) соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:4 ns
Rise Time:6 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TDSON-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
RoHS CompliantYes
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SP000778134 BSC36N15NS3GXT BSC360N15NS3GATMA1
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation74Вт
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:12 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:74 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:12 ns
Id - Continuous Drain Current:33 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:15 S
Drain Source On State Resistance0.031Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:36 mOhms
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Непрерывный Ток Стока33А
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораTDSON
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт69
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация