BSC360N15NS3 G, MOSFETs N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005505083
- Артикул
- BSC360N15NS3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 4 ns
- Rise Time:
- 6 ns
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 203,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP000778134 BSC36N15NS3GXT BSC360N15NS3GATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 74Вт |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 74 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 33 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 15 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.031Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 36 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 33А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |