BSC320N20NS3G, МОП-Транзистор 200 В 36 А 32 мОм при 10 В, 36 А 125 Вт 4 В при 90мкА N-канальные МОП-Транзистор TDSON-8-EP(6x5)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017628837
- Артикул
- BSC320N20NS3G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Type:
- OptiMOS 3 Power Transistor
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 4 ns
Цена по запросу
(от 215,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
200 В, 36 А, 32 Мом при 10 В, 36 А, 125 Вт, 4 В, 90uA, 1 шт. канальные МОП-транзисторы TDSON-8-EP (5x6) ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Type: | OptiMOS 3 Power Transistor |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP000676410 BSC32N2NS3GXT BSC320N20NS3GATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Power Dissipation (Pd) | 150W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 42A |
| Id - Continuous Drain Current: | 36 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 29 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 32 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 28mΩ |