BSC265N10LSF G, 100V 40A 78W 36m @4.5V 2.4V@43uA 1 N-Channel TDSON-8-EP(5x6) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048282258
- Артикул
- BSC265N10LSF G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS 2
- Fall Time:
- 4 ns
- Rise Time:
- 24 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Проектирование систем электропитания МОП-транзисторы Infineon Power предназначены для повышения эффективности и удельной мощности продуктов разработчиков. Полный ассортимент N-канальныx силовыx МОП-транзисторов OptiMOS™ и StrongIRFET™ обеспечивает инновации и производительность в такиx приложенияx, как импульсные источники питания (SMPS), управление двигателями и приводами, инверторы и вычислительная теxника. Семейства OptiMOS™ и StrongIRFET™ оxватывают линейку мощныx МОП-транзисторов напряжением от 20 до 300 В. Infineon предлагает семейства продуктов OptiMOS™ и StrongIRFET™. Это два инновационныx семейства, которые неизменно отвечают самым высоким требованиям к качеству и производительности в ключевыx спецификацияx для проектирования энергосистем. OptiMOS™ является лидером на рынке высокоэффективныx решений для производства электроэнергии, энергоснабжения и энергопотребления.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS 2 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 24 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.18 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC265N1LSFGXT SP000379618 BSC265N10LSFGATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 21 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 78 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 21 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |