BSC22DN20NS3GATMA1, Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001292712
- Артикул
- BSC22DN20NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6.35mm
- Series
- OptiMOS™ 3
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.5
Цена по запросу
(от 95 ₽)
Минимальный заказ: 320 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Width | 6.35mm |
| Series | OptiMOS™ 3 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TDSON |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 34 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.2 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 225 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 34 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |